- 250A 800V 雙IGBT模組
產品說明
是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。驅動功率小而飽和壓降低。
產品規格
●Vrrm:800V
●If:250A
●尺寸:150x40x39mm
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