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- 200A 600V 雙IGBT模組
產品說明
是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。驅動功率小而飽和壓降低。
產品規格
●Ic Collector current:200A
●Vces Collector-emitter voltage:600V
●尺寸:94x48x30mm
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